Trasraitheoirí - FETnna, MOSFETanna - Aonai | Táirgí Leathsheoltóra Scoite | 21

TPC8092,LQ(S

cuid stoc: 100135

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 15A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 7.5A, 10V,

Liostaí Liostaí

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J36FS,LF

cuid stoc: 126552

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 20V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 330mA (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31 Ohm @ 100mA, 4.5V,

Liostaí Liostaí

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J35CT,L3F

cuid stoc: 5771

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 20V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 100mA (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 50mA, 4V,

Liostaí Liostaí

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K15ACT,L3F

cuid stoc: 154142

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 100mA (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 Ohm @ 10mA, 4V,

Liostaí Liostaí

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8129,LQ(S

cuid stoc: 141142

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 9A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 4.5A, 10V,

Liostaí Liostaí

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J56ACT,L3F

cuid stoc: 107046

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 20V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 1.4A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390 mOhm @ 800mA, 4.5V,

Liostaí Liostaí

Toshiba Semiconductor and Storage

TPN6R003NL,LQ

cuid stoc: 195389

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 27A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 13.5A, 10V,

Liostaí Liostaí

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K324R,LF

cuid stoc: 151670

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 4A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4A, 4.5V,

Liostaí Liostaí

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6H19NU,LF

cuid stoc: 184800

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 40V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 2A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185 mOhm @ 1A, 8V,

Liostaí Liostaí

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC6111(TE85L,F,M)

cuid stoc: 154704

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 20V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 5.5A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 2.8A, 4.5V,

Liostaí Liostaí

Toshiba Semiconductor and Storage

TPN8R903NL,LQ

cuid stoc: 183096

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 20A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9 mOhm @ 10A, 10V,

Liostaí Liostaí

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K2615TU,LF

cuid stoc: 7271

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 60V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 2A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1A, 10V,

Liostaí Liostaí

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K15CT(TPL3)

cuid stoc: 112077

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 100mA (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 10mA, 4V,

Liostaí Liostaí

Toshiba Semiconductor and Storage

TPN14006NH,L1Q

cuid stoc: 180682

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 60V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 13A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 6.5A, 10V,

Liostaí Liostaí

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6J207FE,LF

cuid stoc: 104477

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 1.4A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 251 mOhm @ 650mA, 10V,

Liostaí Liostaí

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K56MFV,L3F

cuid stoc: 128522

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 20V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 800mA (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235 mOhm @ 800mA, 4.5V,

Liostaí Liostaí

Toshiba Semiconductor and Storage

TPN22006NH,LQ

cuid stoc: 147480

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 60V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 9A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 4.5A, 10V,

Liostaí Liostaí

Toshiba Semiconductor and Storage

TPN1600ANH,L1Q

cuid stoc: 143024

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 100V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 17A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 8.5A, 10V,

Liostaí Liostaí

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K345R,LF

cuid stoc: 112097

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 20V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 4A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 4A, 4.5V,

Liostaí Liostaí

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J117TU,LF

cuid stoc: 180597

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 2A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117 mOhm @ 1A, 10V,

Liostaí Liostaí

Toshiba Semiconductor and Storage

TPN4R203NC,L1Q

cuid stoc: 167458

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 23A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 11.5A, 10V,

Liostaí Liostaí