cuid stoc: 1259
Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: SiCFET (Silicon Carbide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 1200V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 39A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 20A, 20V,