Trasraitheoirí - FETnna, MOSFETanna - Aonai | Táirgí Leathsheoltóra Scoite | 13

BUK968R3-40E,118

cuid stoc: 9441

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 40V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 75A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4 mOhm @ 20A, 10V,

Liostaí Liostaí

NXP USA Inc.

BUK764R3-40B,118

cuid stoc: 9438

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 40V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 75A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 25A, 10V,

Liostaí Liostaí

NXP USA Inc.

BUK7Y54-75B,115

cuid stoc: 9451

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 75V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 21.4A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54 mOhm @ 10A, 10V,

Liostaí Liostaí

NXP USA Inc.

BUK7Y35-55B,115

cuid stoc: 9379

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 55V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 28.43A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 15A, 10V,

Liostaí Liostaí

NXP USA Inc.

BUK9618-55A,118

cuid stoc: 9116

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 55V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 61A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 25A, 10V,

Liostaí Liostaí

NXP USA Inc.

BUK9E04-30B,127

cuid stoc: 9040

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 75A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 25A, 10V,

Liostaí Liostaí

NXP USA Inc.

BUK7506-75B,127

cuid stoc: 8848

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 75V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 75A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 25A, 10V,

Liostaí Liostaí

NXP USA Inc.

BSH205,215

cuid stoc: 8830

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 12V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 750mA (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 430mA, 4.5V,

Liostaí Liostaí

NXP USA Inc.

BUK9524-55A,127

cuid stoc: 8825

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 55V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 46A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.7 mOhm @ 25A, 10V,

Liostaí Liostaí

NXP USA Inc.

BSH112,235

cuid stoc: 8798

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 60V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 300mA (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Liostaí Liostaí

NXP USA Inc.

BUK9880-55A,115

cuid stoc: 8884

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 55V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 7A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73 mOhm @ 8A, 10V,

Liostaí Liostaí

NXP USA Inc.

BUK7E07-55B,127

cuid stoc: 5935

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 55V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 75A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1 mOhm @ 25A, 10V,

Liostaí Liostaí

NXP USA Inc.

BUK753R1-40B,127

cuid stoc: 8810

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 40V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 75A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 25A, 10V,

Liostaí Liostaí

NXP USA Inc.

BUK9506-55B,127

cuid stoc: 8845

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 55V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 75A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4 mOhm @ 25A, 10V,

Liostaí Liostaí

NXP USA Inc.

BUK9623-75A,118

cuid stoc: 8887

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 75V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 53A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 25A, 10V,

Liostaí Liostaí

NXP USA Inc.

BUK6240-75C,118

cuid stoc: 8827

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 75V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 22A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 10A, 10V,

Liostaí Liostaí

NXP USA Inc.

BUK7614-55A,118

cuid stoc: 8843

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 55V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 73A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 25A, 10V,

Liostaí Liostaí

NXP USA Inc.

BUK754R3-75C,127

cuid stoc: 5885

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 75V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 100A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 25A, 10V,

Liostaí Liostaí

NXP USA Inc.

BUK98150-55A,135

cuid stoc: 8790

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 55V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 5.5A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 137 mOhm @ 5A, 10V,

Liostaí Liostaí

NXP USA Inc.

BUK7510-55AL,127

cuid stoc: 8857

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 55V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 75A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 25A, 10V,

Liostaí Liostaí

NXP USA Inc.

BUK9610-55A,118

cuid stoc: 8807

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 55V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 75A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 25A, 10V,

Liostaí Liostaí

NXP USA Inc.

BUK9E3R2-40B,127

cuid stoc: 8862

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 40V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 100A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 25A, 10V,

Liostaí Liostaí

NXP USA Inc.

BUK752R3-40C,127

cuid stoc: 8793

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 40V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 100A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3 mOhm @ 25A, 10V,

Liostaí Liostaí

NXP USA Inc.

BUK7880-55,135

cuid stoc: 8780

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 55V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 3.5A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 5A, 10V,

Liostaí Liostaí

NXP USA Inc.

BUK6207-30C,118

cuid stoc: 8816

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 90A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 15A, 10V,

Liostaí Liostaí

NXP USA Inc.

BUK95150-55A,127

cuid stoc: 5906

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 55V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 13A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 137 mOhm @ 13A, 10V,

Liostaí Liostaí

NXP USA Inc.

BUK9832-55A,115

cuid stoc: 8818

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 55V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 12A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 8A, 10V,

Liostaí Liostaí

NXP USA Inc.

BUK654R8-40C,127

cuid stoc: 8786

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 40V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 100A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 25A, 10V,

Liostaí Liostaí

NXP USA Inc.

BUK7504-40A,127

cuid stoc: 8853

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 40V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 75A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 25A, 10V,

Liostaí Liostaí

NXP USA Inc.

BUK6208-40C,118

cuid stoc: 8809

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 40V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 90A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 15A, 10V,

Liostaí Liostaí

NXP USA Inc.

BUK7506-55B,127

cuid stoc: 8810

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 55V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 75A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 25A, 10V,

Liostaí Liostaí

NXP USA Inc.

BUK9505-30A,127

cuid stoc: 8836

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 75A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 25A, 10V,

Liostaí Liostaí

NXP USA Inc.

BUK9509-75A,127

cuid stoc: 8842

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 75V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 75A (Tj), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 25A, 10V,

Liostaí Liostaí

NXP USA Inc.

BUK9510-55A,127

cuid stoc: 8858

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 55V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 75A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 25A, 10V,

Liostaí Liostaí

NXP USA Inc.

BUK652R7-30C,127

cuid stoc: 8849

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 100A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 25A, 10V,

Liostaí Liostaí

NXP USA Inc.

BUK652R0-30C,127

cuid stoc: 8804

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 120A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 25A, 10V,

Liostaí Liostaí