Trasraitheoirí - FETnna, MOSFETanna - Aonai | Táirgí Leathsheoltóra Scoite | 21

2SK4016(Q)

cuid stoc: 6095

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 600V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 13A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 6.5A, 10V,

Liostaí Liostaí

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3868(Q,M)

cuid stoc: 709

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 500V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 5A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 Ohm @ 2.5A, 10V,

Liostaí Liostaí

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3906(Q)

cuid stoc: 711

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 600V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 20A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330 mOhm @ 10A, 10V,

Liostaí Liostaí

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3844(Q)

cuid stoc: 756

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 60V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 45A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 23A, 10V,

Liostaí Liostaí

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3662(F)

cuid stoc: 712

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 60V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 35A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5 mOhm @ 18A, 10V,

Liostaí Liostaí

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3462(TE16L1,NQ)

cuid stoc: 761

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 250V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 3A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 Ohm @ 1.5A, 10V,

Liostaí Liostaí

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3466(TE24L,Q)

cuid stoc: 730

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 500V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 5A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 5A, 10V,

Liostaí Liostaí

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3388(TE24L,Q)

cuid stoc: 727

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 250V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 20A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 10A, 10V,

Liostaí Liostaí

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3403(Q)

cuid stoc: 759

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 450V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 13A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 6A, 10V,

Liostaí Liostaí

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3313(Q)

cuid stoc: 769

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 500V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 12A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620 mOhm @ 6A, 10V,

Liostaí Liostaí

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3342(TE16L1,NQ)

cuid stoc: 768

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 250V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 4.5A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 2.5A, 10V,

Liostaí Liostaí

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2883(TE24L,Q)

cuid stoc: 752

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 800V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 3A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 Ohm @ 1.5A, 10V,

Liostaí Liostaí

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2866(F)

cuid stoc: 745

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 600V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 10A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 5A, 10V,

Liostaí Liostaí

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2744(F)

cuid stoc: 6130

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 50V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 45A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 25A, 10V,

Liostaí Liostaí

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2845(TE16L1,Q)

cuid stoc: 779

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 900V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 1A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 Ohm @ 500mA, 10V,

Liostaí Liostaí

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2507(F)

cuid stoc: 761

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 50V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 25A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 12A, 10V,

Liostaí Liostaí

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2544(F)

cuid stoc: 749

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 600V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 6A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25 Ohm @ 3A, 10V,

Liostaí Liostaí

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK1119(F)

cuid stoc: 779

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 1000V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 4A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 Ohm @ 2A, 10V,

Liostaí Liostaí

Toshiba Semiconductor and Storage

2SJ681(Q)

cuid stoc: 746

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 60V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 5A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 2.5A, 10V,

Liostaí Liostaí

Toshiba Semiconductor and Storage

2SJ380(F)

cuid stoc: 783

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 100V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 12A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 6A, 10V,

Liostaí Liostaí

Toshiba Semiconductor and Storage

2SJ610(TE16L1,NQ)

cuid stoc: 711

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 250V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 2A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.55 Ohm @ 1A, 10V,

Liostaí Liostaí

Toshiba Semiconductor and Storage

2SJ360(F)

cuid stoc: 714

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 60V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 1A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730 mOhm @ 500mA, 10V,

Liostaí Liostaí

Toshiba Semiconductor and Storage

2SJ304(F)

cuid stoc: 800

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 60V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 14A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 7A, 10V,

Liostaí Liostaí

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3128(Q)

cuid stoc: 702

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 60A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 30A, 10V,

Liostaí Liostaí

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3309(Q)

cuid stoc: 633

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 450V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 10A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 5A, 10V,

Liostaí Liostaí

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2376(Q)

cuid stoc: 685

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 60V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 45A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 25A, 10V,

Liostaí Liostaí

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2266(TE24R,Q)

cuid stoc: 654

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 60V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 45A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 25A, 10V,

Liostaí Liostaí

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3132(Q)

cuid stoc: 463

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 500V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 50A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 25A, 10V,

Liostaí Liostaí

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3068(TE24L,Q)

cuid stoc: 430

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 500V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 12A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520 mOhm @ 6A, 10V,

Liostaí Liostaí

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2993(TE24L,Q)

cuid stoc: 483

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 250V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 20A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 10A, 10V,

Liostaí Liostaí

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2917(F)

cuid stoc: 500

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 500V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 18A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 10A, 10V,

Liostaí Liostaí

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2916(F)

cuid stoc: 458

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 500V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 14A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 7A, 10V,

Liostaí Liostaí

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2847(F)

cuid stoc: 6126

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 900V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 8A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 4A, 10V,

Liostaí Liostaí

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2719(F)

cuid stoc: 460

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 900V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 3A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3 Ohm @ 1.5A, 10V,

Liostaí Liostaí

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2231(TE16R1,NQ)

cuid stoc: 140

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 60V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 5A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 2.5A, 10V,

Liostaí Liostaí

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2963(TE12L,F)

cuid stoc: 23

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 100V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 1A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 500mA, 10V,

Liostaí Liostaí