Trasraitheoirí - FETnna, MOSFETanna - Aonai | Táirgí Leathsheoltóra Scoite | 100

SI4408DY-T1-E3

cuid stoc: 75002

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 20V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 14A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 21A, 10V,

Liostaí Liostaí

Vishay Siliconix

SI4413CDY-T1-GE3

cuid stoc: 85095

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V,

Liostaí Liostaí

Vishay Siliconix

SI4459BDY-T1-GE3

cuid stoc: 256

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 20.5A (Ta), 27.8A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 15A, 10V,

Liostaí Liostaí

Vishay Siliconix

SIRA06DP-T1-GE3

cuid stoc: 139936

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 40A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 15A, 10V,

Liostaí Liostaí

Vishay Siliconix

SI4164DY-T1-GE3

cuid stoc: 124191

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 30A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 15A, 10V,

Liostaí Liostaí

Vishay Siliconix

SIRA02DP-T1-GE3

cuid stoc: 86565

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 50A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 mOhm @ 15A, 10V,

Liostaí Liostaí

Vishay Siliconix

SI4413ADY-T1-E3

cuid stoc: 91531

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 10.5A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 13A, 10V,

Liostaí Liostaí

Vishay Siliconix

SISS65DN-T1-GE3

cuid stoc: 232

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 25.9A (Ta), 94A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 15A, 10V,

Liostaí Liostaí

Vishay Siliconix

SI7456DP-T1-E3

cuid stoc: 98101

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 100V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 5.7A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 9.3A, 10V,

Liostaí Liostaí

Vishay Siliconix

SI4401BDY-T1-GE3

cuid stoc: 101828

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 40V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 8.7A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 10.5A, 10V,

Liostaí Liostaí

Vishay Siliconix

SI3443BDV-T1-GE3

cuid stoc: 120247

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 20V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 3.6A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4.7A, 4.5V,

Liostaí Liostaí

Vishay Siliconix

SI4421DY-T1-E3

cuid stoc: 98039

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 20V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 10A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.75 mOhm @ 14A, 4.5V,

Liostaí Liostaí

Vishay Siliconix

SIA469DJ-T1-GE3

cuid stoc: 161338

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 12A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5 mOhm @ 5A, 10V,

Liostaí Liostaí

Vishay Siliconix

SI2318DS-T1-GE3

cuid stoc: 149541

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 40V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 3A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 3.9A, 10V,

Liostaí Liostaí

Vishay Siliconix

SIRA18ADP-T1-GE3

cuid stoc: 256

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 30.6A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7 mOhm @ 10A, 10V,

Liostaí Liostaí

Vishay Siliconix

SI4866DY-T1-E3

cuid stoc: 69536

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 12V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 11A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 17A, 4.5V,

Liostaí Liostaí

Vishay Siliconix

SIR106DP-T1-RE3

cuid stoc: 221

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 100V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 16.1A (Ta), 65.8A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 15A, 10V,

Liostaí Liostaí

Vishay Siliconix

SIR464DP-T1-GE3

cuid stoc: 116006

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 50A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 15A, 10V,

Liostaí Liostaí

Vishay Siliconix

SI2316DS-T1-GE3

cuid stoc: 187228

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 2.9A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 3.4A, 10V,

Liostaí Liostaí

Vishay Siliconix

SI7153DN-T1-GE3

cuid stoc: 257

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 18A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 20A, 10V,

Liostaí Liostaí

Vishay Siliconix

SIRA18DP-T1-RE3

cuid stoc: 278

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 33A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 10A, 10V,

Liostaí Liostaí

Vishay Siliconix

SI4825DDY-T1-GE3

cuid stoc: 189511

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 14.9A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5 mOhm @ 10A, 10V,

Liostaí Liostaí

Vishay Siliconix

SIAA00DJ-T1-GE3

cuid stoc: 297

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 25V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 20.1A (Ta), 40A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 15A, 10V,

Liostaí Liostaí

Vishay Siliconix

SI7469DP-T1-E3

cuid stoc: 64458

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 80V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 28A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 10.2A, 10V,

Liostaí Liostaí

Vishay Siliconix

SI3443CDV-T1-E3

cuid stoc: 138955

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 20V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 5.97A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4.7A, 4.5V,

Liostaí Liostaí

Vishay Siliconix

SIRA36DP-T1-GE3

cuid stoc: 102596

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 40A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 20A, 10V,

Liostaí Liostaí

Vishay Siliconix

SIR104DP-T1-RE3

cuid stoc: 244

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 100V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 18.3A (Ta), 79A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4 mOhm @ 15A, 10V,

Liostaí Liostaí

Vishay Siliconix

SI4463BDY-T1-GE3

cuid stoc: 124188

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 20V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 9.8A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 13.7A, 10V,

Liostaí Liostaí

Vishay Siliconix

SI1032X-T1-GE3

cuid stoc: 188997

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 20V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 200mA (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 4.5V,

Liostaí Liostaí

Vishay Siliconix

SI7421DN-T1-E3

cuid stoc: 113280

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 6.4A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 9.8A, 10V,

Liostaí Liostaí

Vishay Siliconix

SI4442DY-T1-GE3

cuid stoc: 44328

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 15A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 22A, 10V,

Liostaí Liostaí

Vishay Siliconix

SI4447DY-T1-GE3

cuid stoc: 146334

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 40V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 3.3A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 4.5A, 15V,

Liostaí Liostaí

Vishay Siliconix

SI4401BDY-T1-E3

cuid stoc: 101863

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 40V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 8.7A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 10.5A, 10V,

Liostaí Liostaí

Vishay Siliconix

IRFI9Z24GPBF

cuid stoc: 25091

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 60V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 8.5A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 5.1A, 10V,

Liostaí Liostaí

Vishay Siliconix

SI7326DN-T1-GE3

cuid stoc: 199618

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 6.5A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5 mOhm @ 10A, 10V,

Liostaí Liostaí

Vishay Siliconix

SISS04DN-T1-GE3

cuid stoc: 256

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 50.5A (Ta), 80A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 mOhm @ 15A, 10V,

Liostaí Liostaí