Menu
GaeilgeGaeilge
RFQ / Ordú
0RFQ / Ordú

Trasraitheoirí - FETnna, MOSFETanna - Aonai

SIA448DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA448DJ-T1-GE3

cuid stoc: 169988

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 20V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 12A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 12.4A, 4.5V,

Liostaí Liostaí
SI4404DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4404DY-T1-E3

cuid stoc: 1527

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 15A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 23A, 10V,

Liostaí Liostaí
SI4434DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4434DY-T1-GE3

cuid stoc: 68716

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 250V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 2.1A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 3A, 10V,

Liostaí Liostaí
IRFI624GPBF
Vishay Siliconix

IRFI624GPBF

cuid stoc: 1532

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 250V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 3.4A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 2A, 10V,

Liostaí Liostaí
SIE832DF-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIE832DF-T1-GE3

cuid stoc: 43943

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 40V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 50A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 14A, 10V,

Liostaí Liostaí
IRLZ14S
Vishay Siliconix

IRLZ14S

cuid stoc: 1538

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 60V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 10A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 6A, 5V,

Liostaí Liostaí
SI4386DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4386DY-T1-GE3

cuid stoc: 159083

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 11A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 16A, 10V,

Liostaí Liostaí
IRFR210PBF
Vishay Siliconix

IRFR210PBF

cuid stoc: 69131

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 200V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 2.6A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 1.6A, 10V,

Liostaí Liostaí
SQ4182EY-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQ4182EY-T1_GE3

cuid stoc: 10824

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 32A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 14A, 10V,

Liostaí Liostaí
SI4455DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4455DY-T1-E3

cuid stoc: 73600

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 150V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 2.8A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295 mOhm @ 4A, 10V,

Liostaí Liostaí
SI4412ADY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4412ADY-T1-E3

cuid stoc: 1496

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 5.8A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 8A, 10V,

Liostaí Liostaí
SI4426DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4426DY-T1-E3

cuid stoc: 108121

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 20V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 6.5A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 8.5A, 4.5V,

Liostaí Liostaí
SUP75N03-04-E3
Vishay Siliconix

SUP75N03-04-E3

cuid stoc: 1524

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 75A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 75A, 10V,

Liostaí Liostaí
SUD35N05-26L-E3
Vishay Siliconix

SUD35N05-26L-E3

cuid stoc: 1474

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 55V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 35A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 20A, 10V,

Liostaí Liostaí
SI4425BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4425BDY-T1-GE3

cuid stoc: 78344

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 8.8A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 11.4A, 10V,

Liostaí Liostaí
IRF9530PBF
Vishay Siliconix

IRF9530PBF

cuid stoc: 45568

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 100V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 12A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 7.2A, 10V,

Liostaí Liostaí
SI4800BDY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4800BDY-T1-E3

cuid stoc: 126818

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 6.5A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5 mOhm @ 9A, 10V,

Liostaí Liostaí
SI4464DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4464DY-T1-E3

cuid stoc: 159052

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 200V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 1.7A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 2.2A, 10V,

Liostaí Liostaí
SI4100DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4100DY-T1-GE3

cuid stoc: 125140

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 100V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 6.8A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63 mOhm @ 4.4A, 10V,

Liostaí Liostaí
SUD23N06-31L-E3
Vishay Siliconix

SUD23N06-31L-E3

cuid stoc: 118954

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 60V, Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 15A, 10V,

Liostaí Liostaí
SI4010DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4010DY-T1-GE3

cuid stoc: 167778

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 31.3A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 15A, 10V,

Liostaí Liostaí
IRL520PBF
Vishay Siliconix

IRL520PBF

cuid stoc: 63689

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 100V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 9.2A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 5.5A, 5V,

Liostaí Liostaí
SI4831BDY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4831BDY-T1-E3

cuid stoc: 1596

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 6.6A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 5A, 10V,

Liostaí Liostaí
SI9433BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI9433BDY-T1-GE3

cuid stoc: 100195

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 20V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 4.5A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 6.2A, 4.5V,

Liostaí Liostaí
SQ4425EY-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQ4425EY-T1_GE3

cuid stoc: 10789

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 18A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 13A, 10V,

Liostaí Liostaí
SQ4483EY-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQ4483EY-T1_GE3

cuid stoc: 10770

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 30A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 10A, 10V,

Liostaí Liostaí
SI4103DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4103DY-T1-GE3

cuid stoc: 10820

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 14A (Ta), 16A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9 mOhm @ 10A, 10V,

Liostaí Liostaí
SQ4483BEEY-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQ4483BEEY-T1_GE3

cuid stoc: 10837

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 22A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 10A, 10V,

Liostaí Liostaí
IRFDC20PBF
Vishay Siliconix

IRFDC20PBF

cuid stoc: 29452

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 600V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 320mA (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4 Ohm @ 190mA, 10V,

Liostaí Liostaí
SIHH28N60E-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIHH28N60E-T1-GE3

cuid stoc: 10451

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 600V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 29A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98 mOhm @ 14A, 10V,

Liostaí Liostaí
SI4888DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4888DY-T1-E3

cuid stoc: 1502

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 11A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 16A, 10V,

Liostaí Liostaí
SI7790DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7790DP-T1-GE3

cuid stoc: 49817

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 40V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 50A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 15A, 10V,

Liostaí Liostaí
SI4884BDY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4884BDY-T1-E3

cuid stoc: 128225

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 16.5A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 10A, 10V,

Liostaí Liostaí
IRFP460NPBF
Vishay Siliconix

IRFP460NPBF

cuid stoc: 1584

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 500V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 20A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 12A, 10V,

Liostaí Liostaí
SUD50N06-07L-E3
Vishay Siliconix

SUD50N06-07L-E3

cuid stoc: 1499

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 60V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 96A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4 mOhm @ 20A, 10V,

Liostaí Liostaí
SI4143DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4143DY-T1-GE3

cuid stoc: 81402

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 25.3A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 12A, 10V,

Liostaí Liostaí