Trasraitheoirí - FETnna, MOSFETanna - Aonai

SUP90N15-18P-E3

SUP90N15-18P-E3

cuid stoc: 1124

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 150V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 90A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 20A, 10V,

SI3407DV-T1-E3

SI3407DV-T1-E3

cuid stoc: 1016

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 20V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 8A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.5A, 4.5V,

SI1433DH-T1-GE3

SI1433DH-T1-GE3

cuid stoc: 1063

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 1.9A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 2.2A, 10V,

SUP40P10-43-GE3

SUP40P10-43-GE3

cuid stoc: 1112

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 100V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 36A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 10A, 10V,

SIE848DF-T1-E3

SIE848DF-T1-E3

cuid stoc: 1064

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 60A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 25A, 10V,

SUD08P06-155L-E3

SUD08P06-155L-E3

cuid stoc: 1047

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 60V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 8.4A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 5A, 10V,

SI5456DU-T1-GE3

SI5456DU-T1-GE3

cuid stoc: 971

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 20V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 12A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 9.3A, 10V,

SI7860ADP-T1-GE3

SI7860ADP-T1-GE3

cuid stoc: 1095

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 11A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 16A, 10V,

SI7138DP-T1-GE3

SI7138DP-T1-GE3

cuid stoc: 6189

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 60V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 30A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8 mOhm @ 19.7A, 10V,

SI6466ADQ-T1-E3

SI6466ADQ-T1-E3

cuid stoc: 1086

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 20V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 6.8A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 8.1A, 4.5V,

IRFR9310TRRPBF

IRFR9310TRRPBF

cuid stoc: 1024

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 400V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 1.8A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 1.1A, 10V,

SI5404BDC-T1-GE3

SI5404BDC-T1-GE3

cuid stoc: 158530

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 20V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 5.4A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 5.4A, 4.5V,

SI4886DY-T1-GE3

SI4886DY-T1-GE3

cuid stoc: 6200

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 9.5A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 13A, 10V,

SI2323DS-T1

SI2323DS-T1

cuid stoc: 887

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 20V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 3.7A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 4.7A, 4.5V,

SI4362BDY-T1-GE3

SI4362BDY-T1-GE3

cuid stoc: 1012

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 29A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 19.8A, 10V,

SUD50N03-11-E3

SUD50N03-11-E3

cuid stoc: 1064

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 50A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 25A, 10V,

SUD40N02-08-E3

SUD40N02-08-E3

cuid stoc: 1145

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 20V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 40A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 20A, 4.5V,

SI4324DY-T1-E3

SI4324DY-T1-E3

cuid stoc: 1041

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 36A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 20A, 10V,

IRFR1N60ATRRPBF

IRFR1N60ATRRPBF

cuid stoc: 1076

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 600V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 1.4A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 840mA, 10V,

SI4636DY-T1-E3

SI4636DY-T1-E3

cuid stoc: 1027

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 17A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 10A, 10V,

SUD50N10-18P-E3

SUD50N10-18P-E3

cuid stoc: 1088

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 100V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 8.2A (Ta), 50A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5 mOhm @ 15A, 10V,

SI8475EDB-T1-E1

SI8475EDB-T1-E1

cuid stoc: 152943

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 20V, Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 1A, 4.5V,

SI4324DY-T1-GE3

SI4324DY-T1-GE3

cuid stoc: 1085

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 36A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 20A, 10V,

SI4487DY-T1-GE3

SI4487DY-T1-GE3

cuid stoc: 113240

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 11.6A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5 mOhm @ 10A, 10V,

SI4406DY-T1-GE3

SI4406DY-T1-GE3

cuid stoc: 1063

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 13A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 20A, 10V,

SUP90N08-7M7P-E3

SUP90N08-7M7P-E3

cuid stoc: 1127

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 75V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 90A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7 mOhm @ 20A, 10V,

SUD50N03-16P-E3

SUD50N03-16P-E3

cuid stoc: 1090

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 15A, 10V,

SUV85N10-10-E3

SUV85N10-10-E3

cuid stoc: 1149

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 100V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 85A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 30A, 10V,

SI4470EY-T1-GE3

SI4470EY-T1-GE3

cuid stoc: 947

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 60V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 9A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 12A, 10V,

SI4886DY-T1-E3

SI4886DY-T1-E3

cuid stoc: 1086

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 9.5A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 13A, 10V,

SI4660DY-T1-E3

SI4660DY-T1-E3

cuid stoc: 1105

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 25V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 23.1A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 15A, 10V,

SI1031X-T1-E3

SI1031X-T1-E3

cuid stoc: 1023

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 20V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 155mA (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 150mA, 4.5V,

SI5406DC-T1-GE3

SI5406DC-T1-GE3

cuid stoc: 1031

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 12V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 6.9A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 6.9A, 4.5V,

SI4858DY-T1-E3

SI4858DY-T1-E3

cuid stoc: 1097

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 13A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.25 mOhm @ 20A, 10V,

SI1450DH-T1-GE3

SI1450DH-T1-GE3

cuid stoc: 1050

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 8V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 4.53A (Ta), 6.04A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47 mOhm @ 4A, 4.5V,

SUP90N03-03-E3

SUP90N03-03-E3

cuid stoc: 1067

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 90A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9 mOhm @ 28.8A, 10V,