Menu
GaeilgeGaeilge
RFQ / Ordú
0RFQ / Ordú

Trasraitheoirí - FETnna, MOSFETanna - Aonai

IRLL1905TR
Vishay Siliconix

IRLL1905TR

cuid stoc: 9308

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 55V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 1.6A (Ta),

Liostaí Liostaí
SIR642DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR642DP-T1-GE3

cuid stoc: 96123

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 40V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 60A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 15A, 10V,

Liostaí Liostaí
SUD25N04-25-T4-E3
Vishay Siliconix

SUD25N04-25-T4-E3

cuid stoc: 9481

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 40V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 25A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 25A, 10V,

Liostaí Liostaí
SI2305ADS-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI2305ADS-T1-GE3

cuid stoc: 9345

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 8V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 5.4A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.1A, 4.5V,

Liostaí Liostaí
SIB415DK-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIB415DK-T1-GE3

cuid stoc: 9323

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 9A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87 mOhm @ 4.17A, 10V,

Liostaí Liostaí
IRF2807ZSTRL
Vishay Siliconix

IRF2807ZSTRL

cuid stoc: 9393

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 75V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 75A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4 mOhm @ 53A, 10V,

Liostaí Liostaí
SUM27N20-78-E3
Vishay Siliconix

SUM27N20-78-E3

cuid stoc: 9313

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 200V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 27A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 20A, 10V,

Liostaí Liostaí
SIR788DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR788DP-T1-GE3

cuid stoc: 139903

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 60A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 20A, 10V,

Liostaí Liostaí
SIR640DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR640DP-T1-GE3

cuid stoc: 9450

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 40V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 60A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 20A, 10V,

Liostaí Liostaí
SI3481DV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3481DV-T1-GE3

cuid stoc: 9413

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 4A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48 mOhm @ 5.3A, 10V,

Liostaí Liostaí
SI1303DL-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1303DL-T1-GE3

cuid stoc: 9407

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 20V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 670mA (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430 mOhm @ 1A, 4.5V,

Liostaí Liostaí
SI5853CDC-T1-E3
Vishay Siliconix

SI5853CDC-T1-E3

cuid stoc: 9404

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 20V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 4A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104 mOhm @ 2.5A, 4.5V,

Liostaí Liostaí
IRF644N
Vishay Siliconix

IRF644N

cuid stoc: 9177

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 250V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 14A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 8.4A, 10V,

Liostaí Liostaí
SI7407DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7407DN-T1-GE3

cuid stoc: 9387

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 12V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 9.9A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 15.6A, 4.5V,

Liostaí Liostaí
IRFZ44R
Vishay Siliconix

IRFZ44R

cuid stoc: 9161

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 60V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 50A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 31A, 10V,

Liostaí Liostaí
SUM47N10-24L-E3
Vishay Siliconix

SUM47N10-24L-E3

cuid stoc: 9288

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 100V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 47A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 40A, 10V,

Liostaí Liostaí
SUM110N04-03-E3
Vishay Siliconix

SUM110N04-03-E3

cuid stoc: 9456

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 40V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 110A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 30A, 10V,

Liostaí Liostaí
SI9424BDY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI9424BDY-T1-E3

cuid stoc: 9338

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 20V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 5.6A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7.1A, 4.5V,

Liostaí Liostaí
IRLU3714TR
Vishay Siliconix

IRLU3714TR

cuid stoc: 9321

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 20V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 36A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 18A, 10V,

Liostaí Liostaí
SI4836DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4836DY-T1-E3

cuid stoc: 9523

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 12V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 17A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 25A, 4.5V,

Liostaí Liostaí
SI4384DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4384DY-T1-GE3

cuid stoc: 99155

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 10A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 15A, 10V,

Liostaí Liostaí
SIA811DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA811DJ-T1-GE3

cuid stoc: 9358

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 20V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 4.5A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94 mOhm @ 2.8A, 4.5V,

Liostaí Liostaí
IRFI620
Vishay Siliconix

IRFI620

cuid stoc: 9269

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 200V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 4.1A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 2.5A, 10V,

Liostaí Liostaí
IRF7822TRL
Vishay Siliconix

IRF7822TRL

cuid stoc: 9261

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 18A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 15A, 4.5V,

Liostaí Liostaí
IRFR9310PBF
Vishay Siliconix

IRFR9310PBF

cuid stoc: 53149

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 400V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 1.8A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 1.1A, 10V,

Liostaí Liostaí
IRFB16N50K
Vishay Siliconix

IRFB16N50K

cuid stoc: 9492

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 500V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 17A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 10A, 10V,

Liostaí Liostaí
SI5402BDC-T1-E3
Vishay Siliconix

SI5402BDC-T1-E3

cuid stoc: 9317

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 4.9A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4.9A, 10V,

Liostaí Liostaí
SI1402DH-T1-E3
Vishay Siliconix

SI1402DH-T1-E3

cuid stoc: 9470

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 2.7A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77 mOhm @ 3A, 4.5V,

Liostaí Liostaí
SIR878DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR878DP-T1-GE3

cuid stoc: 73118

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 100V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 40A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 15A, 10V,

Liostaí Liostaí
SI1411DH-T1-E3
Vishay Siliconix

SI1411DH-T1-E3

cuid stoc: 5957

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 150V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 420mA (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6 Ohm @ 500mA, 10V,

Liostaí Liostaí
IRF644NS
Vishay Siliconix

IRF644NS

cuid stoc: 9208

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 250V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 14A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 8.4A, 10V,

Liostaí Liostaí
SI2302ADS-T1
Vishay Siliconix

SI2302ADS-T1

cuid stoc: 9447

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 20V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 2.1A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.6A, 4.5V,

Liostaí Liostaí
IRF3314STRL
Vishay Siliconix

IRF3314STRL

cuid stoc: 9228

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 150V, Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V,

Liostaí Liostaí
IRFB13N50A
Vishay Siliconix

IRFB13N50A

cuid stoc: 9258

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 500V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 14A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 8.4A, 10V,

Liostaí Liostaí
SI3481DV-T1-E3
Vishay Siliconix

SI3481DV-T1-E3

cuid stoc: 9272

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 4A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48 mOhm @ 5.3A, 10V,

Liostaí Liostaí
SUM110N03-03P-E3
Vishay Siliconix

SUM110N03-03P-E3

cuid stoc: 9469

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 110A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 30A, 10V,

Liostaí Liostaí