Menu
GaeilgeGaeilge
RFQ / Ordú
0RFQ / Ordú

Trasraitheoirí - FETnna, MOSFETanna - Aonai

IRF630PBF
Vishay Siliconix

IRF630PBF

cuid stoc: 61030

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 200V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 9A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 5.4A, 10V,

Liostaí Liostaí
SI1069X-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1069X-T1-GE3

cuid stoc: 167518

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 20V, Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184 mOhm @ 940mA, 4.5V,

Liostaí Liostaí
SIHP24N65E-GE3
Vishay Siliconix

SIHP24N65E-GE3

cuid stoc: 11654

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 650V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 24A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145 mOhm @ 12A, 10V,

Liostaí Liostaí
SI5415AEDU-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI5415AEDU-T1-GE3

cuid stoc: 192191

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 20V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 25A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6 mOhm @ 10A, 4.5V,

Liostaí Liostaí
SI7116DN-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7116DN-T1-E3

cuid stoc: 74965

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 40V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 10.5A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8 mOhm @ 16.4A, 10V,

Liostaí Liostaí
IRFR9214PBF
Vishay Siliconix

IRFR9214PBF

cuid stoc: 46648

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 250V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 2.7A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.7A, 10V,

Liostaí Liostaí
SIA415DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA415DJ-T1-GE3

cuid stoc: 182929

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 20V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 12A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 5.6A, 4.5V,

Liostaí Liostaí
SUD19P06-60L-E3
Vishay Siliconix

SUD19P06-60L-E3

cuid stoc: 125159

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 60V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 19A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 10A, 10V,

Liostaí Liostaí
SQJ486EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ486EP-T1_GE3

cuid stoc: 165181

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 75V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 30A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 51A, 10V,

Liostaí Liostaí
SIHG33N60E-GE3
Vishay Siliconix

SIHG33N60E-GE3

cuid stoc: 9978

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 600V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 33A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99 mOhm @ 16.5A, 10V,

Liostaí Liostaí
SIA418DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA418DJ-T1-GE3

cuid stoc: 115181

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 12A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 9A, 10V,

Liostaí Liostaí
SI3443BDV-T1-E3
Vishay Siliconix

SI3443BDV-T1-E3

cuid stoc: 115293

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 20V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 3.6A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4.7A, 4.5V,

Liostaí Liostaí
SI7119DN-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7119DN-T1-E3

cuid stoc: 164009

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 200V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 3.8A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05 Ohm @ 1A, 10V,

Liostaí Liostaí
SIA444DJT-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA444DJT-T1-GE3

cuid stoc: 190064

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 12A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 7.4A, 10V,

Liostaí Liostaí
SIE868DF-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIE868DF-T1-GE3

cuid stoc: 60974

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 40V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 60A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3 mOhm @ 20A, 10V,

Liostaí Liostaí
SI4186DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4186DY-T1-GE3

cuid stoc: 135918

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 20V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 35.8A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 15A, 10V,

Liostaí Liostaí
SI5404BDC-T1-E3
Vishay Siliconix

SI5404BDC-T1-E3

cuid stoc: 105827

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 20V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 5.4A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 5.4A, 4.5V,

Liostaí Liostaí
SI7164DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7164DP-T1-GE3

cuid stoc: 63494

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 60V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 60A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25 mOhm @ 10A, 10V,

Liostaí Liostaí
IRFP27N60KPBF
Vishay Siliconix

IRFP27N60KPBF

cuid stoc: 8963

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 600V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 27A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 16A, 10V,

Liostaí Liostaí
SI2319CDS-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI2319CDS-T1-GE3

cuid stoc: 166284

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 40V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 4.4A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77 mOhm @ 3.1A, 10V,

Liostaí Liostaí
SIR892DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR892DP-T1-GE3

cuid stoc: 54262

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 25V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 50A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 10A, 10V,

Liostaí Liostaí
SIHP22N60E-GE3
Vishay Siliconix

SIHP22N60E-GE3

cuid stoc: 16471

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 600V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 21A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 11A, 10V,

Liostaí Liostaí
SUD50N06-09L-E3
Vishay Siliconix

SUD50N06-09L-E3

cuid stoc: 54264

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 60V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 50A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3 mOhm @ 20A, 10V,

Liostaí Liostaí
SQJ476EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ476EP-T1_GE3

cuid stoc: 119114

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 100V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 23A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 10A, 10V,

Liostaí Liostaí
SIR422DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR422DP-T1-GE3

cuid stoc: 139862

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 40V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 40A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 20A, 10V,

Liostaí Liostaí
SI2306BDS-T1-E3
Vishay Siliconix

SI2306BDS-T1-E3

cuid stoc: 125659

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 3.16A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47 mOhm @ 3.5A, 10V,

Liostaí Liostaí
SI7141DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7141DP-T1-GE3

cuid stoc: 65801

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 20V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 60A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9 mOhm @ 25A, 10V,

Liostaí Liostaí
SQJ459EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ459EP-T1_GE3

cuid stoc: 136666

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 60V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 52A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 3.5A, 10V,

Liostaí Liostaí
SI7655ADN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7655ADN-T1-GE3

cuid stoc: 178778

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 20V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 40A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 20A, 10V,

Liostaí Liostaí
SQ2315ES-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQ2315ES-T1_GE3

cuid stoc: 126329

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 12V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 5A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 3.5A, 10V,

Liostaí Liostaí
SI3442BDV-T1-E3
Vishay Siliconix

SI3442BDV-T1-E3

cuid stoc: 121173

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 20V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 3A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 4A, 4.5V,

Liostaí Liostaí
SIHG22N65E-GE3
Vishay Siliconix

SIHG22N65E-GE3

cuid stoc: 12610

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 650V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 22A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 11A, 10V,

Liostaí Liostaí
SIE810DF-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIE810DF-T1-GE3

cuid stoc: 40414

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 20V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 60A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 mOhm @ 25A, 10V,

Liostaí Liostaí
SISA18ADN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISA18ADN-T1-GE3

cuid stoc: 138151

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 38.3A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 10A, 10V,

Liostaí Liostaí
SQJ456EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ456EP-T1_GE3

cuid stoc: 29509

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 100V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 32A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 9.3A, 10V,

Liostaí Liostaí
SIHH14N65EF-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIHH14N65EF-T1-GE3

cuid stoc: 25762

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 650V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 15A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 271 mOhm @ 7A, 10V,

Liostaí Liostaí