Menu
GaeilgeGaeilge
RFQ / Ordú
0RFQ / Ordú

Trasraitheoirí - FETnna, MOSFETanna - Aonai

TSM120NA03CR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM120NA03CR RLG

cuid stoc: 313

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 39A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7 mOhm @ 11A, 10V,

Liostaí Liostaí
TSM3N100CP ROG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM3N100CP ROG

cuid stoc: 428

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 1000V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 2.5A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 1.25A, 10V,

Liostaí Liostaí
TSM70N750CP ROG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM70N750CP ROG

cuid stoc: 379

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 700V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 6A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 1.8A, 10V,

Liostaí Liostaí
TSM70N380CP ROG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM70N380CP ROG

cuid stoc: 417

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 700V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 11A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 3.3A, 10V,

Liostaí Liostaí
TSM2308CX RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM2308CX RFG

cuid stoc: 348

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 60V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 3A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156 mOhm @ 3A, 10V,

Liostaí Liostaí
TSM60NB190CM2 RNG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM60NB190CM2 RNG

cuid stoc: 4266

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 600V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 18A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 6A, 10V,

Liostaí Liostaí
TSM60NB150CF C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM60NB150CF C0G

cuid stoc: 1735

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 600V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 24A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 4.3A, 10V,

Liostaí Liostaí
TSM100N06CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM100N06CZ C0G

cuid stoc: 3101

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 60V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 100A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7 mOhm @ 30A, 10V,

Liostaí Liostaí
TSM4424CS RVG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM4424CS RVG

cuid stoc: 2677

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 20V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 8A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.5A, 4.5V,

Liostaí Liostaí
TSM190N08CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM190N08CZ C0G

cuid stoc: 4233

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 75V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 190A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 90A, 10V,

Liostaí Liostaí
TSM60NB041PW C1G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM60NB041PW C1G

cuid stoc: 3156

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 600V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 78A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41 mOhm @ 21.7A, 10V,

Liostaí Liostaí
TSM80N08CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM80N08CZ C0G

cuid stoc: 4592

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 75V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 80A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 40A, 10V,

Liostaí Liostaí
TSM3N80CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM3N80CZ C0G

cuid stoc: 5304

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 800V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 3A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 Ohm @ 1.5A, 10V,

Liostaí Liostaí
TSM4NB60CI C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM4NB60CI C0G

cuid stoc: 5085

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 600V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 4A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 2A, 10V,

Liostaí Liostaí
TSM7NC60CF C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM7NC60CF C0G

cuid stoc: 5368

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 600V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 7A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 2A, 10V,

Liostaí Liostaí
TSM8N80CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM8N80CZ C0G

cuid stoc: 5368

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 800V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 8A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05 Ohm @ 4A, 10V,

Liostaí Liostaí
TSM60NB260CI C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM60NB260CI C0G

cuid stoc: 5139

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 600V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 13A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260 mOhm @ 3.9A, 10V,

Liostaí Liostaí
TSM60NB099CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM60NB099CZ C0G

cuid stoc: 4373

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 600V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 38A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99 mOhm @ 11.3A, 10V,

Liostaí Liostaí
TSM9N90ECZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM9N90ECZ C0G

cuid stoc: 5238

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 900V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 9A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 4.5A, 10V,

Liostaí Liostaí
TSM15N50CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM15N50CZ C0G

cuid stoc: 5115

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 500V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 14A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440 mOhm @ 7A, 10V,

Liostaí Liostaí
TSM4N90CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM4N90CZ C0G

cuid stoc: 5357

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 900V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 4A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 2A, 10V,

Liostaí Liostaí
TSM4N80CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM4N80CZ C0G

cuid stoc: 5244

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 800V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 4A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.2A, 10V,

Liostaí Liostaí
TSM10N80CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM10N80CZ C0G

cuid stoc: 5325

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 800V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 9.5A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05 Ohm @ 4.75A, 10V,

Liostaí Liostaí
TSM4425CS RLG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM4425CS RLG

cuid stoc: 6339

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 11A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 11A, 10V,

Liostaí Liostaí
TSM10NC65CF C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM10NC65CF C0G

cuid stoc: 4964

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 650V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 10A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 2A, 10V,

Liostaí Liostaí
TSM5NC50CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM5NC50CZ C0G

cuid stoc: 5244

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 500V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 5A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38 Ohm @ 2.5A, 10V,

Liostaí Liostaí
TSM60NB380CF C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM60NB380CF C0G

cuid stoc: 5263

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 600V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 11A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 2.7A, 10V,

Liostaí Liostaí
TSM4NB65CI C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM4NB65CI C0G

cuid stoc: 5335

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 650V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 4A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.37 Ohm @ 2A, 10V,

Liostaí Liostaí
TSM70N600CH C5G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM70N600CH C5G

cuid stoc: 4269

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 700V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 8A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 4A, 10V,

Liostaí Liostaí
TSM7N90CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM7N90CZ C0G

cuid stoc: 5235

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 900V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 7A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9 Ohm @ 3.5A, 10V,

Liostaí Liostaí
TSM15N50CI C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM15N50CI C0G

cuid stoc: 5196

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 500V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 14A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440 mOhm @ 7A, 10V,

Liostaí Liostaí
TSM80N950CI C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM80N950CI C0G

cuid stoc: 5392

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 800V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 6A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 2A, 10V,

Liostaí Liostaí
TSM60N380CI C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM60N380CI C0G

cuid stoc: 5213

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 600V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 11A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 5.5A, 10V,

Liostaí Liostaí
TSM85N10CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM85N10CZ C0G

cuid stoc: 4800

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 100V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 81A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 40A, 10V,

Liostaí Liostaí
TSM9N90ECI C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM9N90ECI C0G

cuid stoc: 5150

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 900V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 9A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 4.5A, 10V,

Liostaí Liostaí
TSM8N80CI C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM8N80CI C0G

cuid stoc: 4380

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 800V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 8A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05 Ohm @ 4A, 10V,

Liostaí Liostaí