Menu
GaeilgeGaeilge
RFQ / Ordú
0RFQ / Ordú

Trasraitheoirí - FETnna, MOSFETanna - Aonai

TSM4NB65CP ROG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM4NB65CP ROG

cuid stoc: 10810

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 650V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 4A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.37 Ohm @ 2A, 10V,

Liostaí Liostaí
TSM4NB60CP ROG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM4NB60CP ROG

cuid stoc: 10824

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 600V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 4A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 2A, 10V,

Liostaí Liostaí
TSM4436CS RLG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM4436CS RLG

cuid stoc: 10753

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 60V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 8A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 4.6A, 10V,

Liostaí Liostaí
TSM033NA04LCR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM033NA04LCR RLG

cuid stoc: 10796

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 40V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 141A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 20A, 10V,

Liostaí Liostaí
TSM150NB04CR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM150NB04CR RLG

cuid stoc: 10772

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 40V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 10A (Ta), 41A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 10A, 10V,

Liostaí Liostaí
TSM070NB04CR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM070NB04CR RLG

cuid stoc: 10831

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 40V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 15A (Ta), 75A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 15A, 10V,

Liostaí Liostaí
TSM015NA03CR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM015NA03CR RLG

cuid stoc: 10830

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 205A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 mOhm @ 32A, 10V,

Liostaí Liostaí
TSM9409CS RLG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM9409CS RLG

cuid stoc: 10798

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 60V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 3.5A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 3.5A, 10V,

Liostaí Liostaí
TSM048NB06LCR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM048NB06LCR RLG

cuid stoc: 10825

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 60V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 16A (Ta), 107A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 16A, 10V,

Liostaí Liostaí
TSM025NB04CR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM025NB04CR RLG

cuid stoc: 10767

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 40V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 24A (Ta), 161A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 24A, 10V,

Liostaí Liostaí
TSM150NB04LCR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM150NB04LCR RLG

cuid stoc: 10815

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 40V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 10A (Ta), 41A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 10A, 10V,

Liostaí Liostaí
TSM080N03EPQ56 RLG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM080N03EPQ56 RLG

cuid stoc: 10777

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 55A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 16A, 10V,

Liostaí Liostaí
TSM090N03CP ROG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM090N03CP ROG

cuid stoc: 10774

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 50A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 16A, 10V,

Liostaí Liostaí
TSM2N60ECP ROG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM2N60ECP ROG

cuid stoc: 10845

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 600V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 2A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 1A, 10V,

Liostaí Liostaí
TSM040N03CP ROG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM040N03CP ROG

cuid stoc: 10784

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 90A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 24A, 10V,

Liostaí Liostaí
TSM070NB04LCR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM070NB04LCR RLG

cuid stoc: 10840

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 40V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 15A (Ta), 75A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 15A, 10V,

Liostaí Liostaí
TSM055N03EPQ56 RLG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM055N03EPQ56 RLG

cuid stoc: 10809

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 80A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 20A, 10V,

Liostaí Liostaí
TSM180P03CS RLG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM180P03CS RLG

cuid stoc: 10842

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 10A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 8A, 10V,

Liostaí Liostaí
TSM060N03ECP ROG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM060N03ECP ROG

cuid stoc: 10779

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 70A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 20A, 10V,

Liostaí Liostaí
TSM089N08LCR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM089N08LCR RLG

cuid stoc: 10841

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 80V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 67A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9 mOhm @ 12A, 10V,

Liostaí Liostaí
TSM9435CS RLG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM9435CS RLG

cuid stoc: 10788

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 5.3A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 5.3A, 10V,

Liostaí Liostaí
TSM480P06CH X0G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM480P06CH X0G

cuid stoc: 12161

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 60V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 20A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48 mOhm @ 8A, 10V,

Liostaí Liostaí
TSM1NB60CW RPG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM1NB60CW RPG

cuid stoc: 10834

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 600V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 1A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 500mA, 10V,

Liostaí Liostaí
TSM60N380CP ROG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM60N380CP ROG

cuid stoc: 10834

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 600V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 11A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 5.5A, 10V,

Liostaí Liostaí
TSM038N04LCP ROG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM038N04LCP ROG

cuid stoc: 10792

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 40V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 135A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 19A, 10V,

Liostaí Liostaí
TSM070NA04LCR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM070NA04LCR RLG

cuid stoc: 10762

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 40V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 91A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 14A, 10V,

Liostaí Liostaí
TSM110NB04CR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM110NB04CR RLG

cuid stoc: 10792

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 40V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 12A (Ta), 54A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 12A, 10V,

Liostaí Liostaí
TSM026NA03CR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM026NA03CR RLG

cuid stoc: 10803

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 168A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 24A, 10V,

Liostaí Liostaí
TSM60NB380CP ROG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM60NB380CP ROG

cuid stoc: 10792

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 600V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 9.5A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 2.85A, 10V,

Liostaí Liostaí
TSM024NA04LCR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM024NA04LCR RLG

cuid stoc: 10783

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 40V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 170A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 25A, 10V,

Liostaí Liostaí
TSM230N06PQ56 RLG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM230N06PQ56 RLG

cuid stoc: 10813

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 60V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 44A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 20A, 10V,

Liostaí Liostaí
TSM5NC50CP ROG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM5NC50CP ROG

cuid stoc: 10772

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 500V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 5A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38 Ohm @ 2.4A, 10V,

Liostaí Liostaí
TSM7P06CP ROG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM7P06CP ROG

cuid stoc: 10807

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 60V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 7A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 3A, 10V,

Liostaí Liostaí
TSM70NB1R4CP ROG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM70NB1R4CP ROG

cuid stoc: 10849

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 700V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 3A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 1.2A, 10V,

Liostaí Liostaí
TSM70N900CP ROG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM70N900CP ROG

cuid stoc: 10784

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 700V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 4.5A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 1.5A, 10V,

Liostaí Liostaí
TSM033NB04CR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM033NB04CR RLG

cuid stoc: 10827

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 40V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 21A (Ta), 121A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 21A, 10V,

Liostaí Liostaí