Trasraitheoirí - FETnna, MOSFETanna - Aonai | Táirgí Leathsheoltóra Scoite | 8

TSM080N03PQ56 RLG

cuid stoc: 10758

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 73A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 14A, 10V,

Liostaí Liostaí

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM3481CX6 RFG

cuid stoc: 9943

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 5.7A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48 mOhm @ 5.3A, 10V,

Liostaí Liostaí

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM3457CX6 RFG

cuid stoc: 9951

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 5A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 5A, 10V,

Liostaí Liostaí

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM2303CX RFG

cuid stoc: 9973

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 1.3A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.3A, 10V,

Liostaí Liostaí

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM650P02CX RFG

cuid stoc: 9956

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 20V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 4.1A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3A, 4.5V,

Liostaí Liostaí

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM80N1R2CH C5G

cuid stoc: 12404

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 800V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 5.5A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 2.75A, 10V,

Liostaí Liostaí

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM900N10CH X0G

cuid stoc: 12203

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 100V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 15A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 5A, 10V,

Liostaí Liostaí

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM2N60ECH C5G

cuid stoc: 10600

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 600V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 2A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 1A, 10V,

Liostaí Liostaí

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM80N950CH C5G

cuid stoc: 12382

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 800V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 6A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 3A, 10V,

Liostaí Liostaí

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM60NB190CF C0G

cuid stoc: 13098

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 600V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 18A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 3.7A, 10V,

Liostaí Liostaí

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM70N900CH C5G

cuid stoc: 12462

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 700V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 4.5A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 1.5A, 10V,

Liostaí Liostaí

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM60NB600CH C5G

cuid stoc: 12381

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 600V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 7A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 2.1A, 10V,

Liostaí Liostaí

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM4NB60CH C5G

cuid stoc: 12440

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 600V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 4A, Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 2A, 10V,

Liostaí Liostaí

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM70N380CI C0G

cuid stoc: 13248

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 700V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 11A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 3.3A, 10V,

Liostaí Liostaí

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM60NB600CF C0G

cuid stoc: 12623

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 600V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 8A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 1.7A, 10V,

Liostaí Liostaí

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM70N1R4CH C5G

cuid stoc: 12453

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 700V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 3.3A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 1.2A, 10V,

Liostaí Liostaí

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM60NB190CI C0G

cuid stoc: 13271

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 600V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 18A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 6A, 10V,

Liostaí Liostaí

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM60NB380CH C5G

cuid stoc: 12432

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 600V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 9.5A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 2.85A, 10V,

Liostaí Liostaí

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM160N10CZ C0G

cuid stoc: 12997

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 100V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 160A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 30A, 10V,

Liostaí Liostaí

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM3N80CH C5G

cuid stoc: 12349

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 800V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 3A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 Ohm @ 1.5A, 10V,

Liostaí Liostaí

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM280NB06LCR RLG

cuid stoc: 16514

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 60V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 7A (Ta), 28A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 7A, 10V,

Liostaí Liostaí

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM055N03PQ56 RLG

cuid stoc: 16535

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 80A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 20A, 10V,

Liostaí Liostaí

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM230N06CP ROG

cuid stoc: 16589

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 60V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 34A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 20A, 10V,

Liostaí Liostaí

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM045NB06CR RLG

cuid stoc: 16504

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 60V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 16A (Ta), 104A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 16A, 10V,

Liostaí Liostaí

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM300NB06CR RLG

cuid stoc: 16586

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 60V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 6A (Ta), 27A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V,

Liostaí Liostaí

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM80N950CP ROG

cuid stoc: 16581

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 800V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 6A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 3A, 10V,

Liostaí Liostaí

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM085P03CV RGG

cuid stoc: 16544

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 64A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 14A, 10V,

Liostaí Liostaí

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM70N1R4CP ROG

cuid stoc: 16509

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 700V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 3.3A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 1.2A, 10V,

Liostaí Liostaí

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM650N15CS RLG

cuid stoc: 16571

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 150V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 9A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 4A, 10V,

Liostaí Liostaí

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM35N10CP ROG

cuid stoc: 16561

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 100V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 32A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 10A, 10V,

Liostaí Liostaí

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM088NA03CR RLG

cuid stoc: 16529

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 61A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8 mOhm @ 13A, 10V,

Liostaí Liostaí

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM220NB06CR RLG

cuid stoc: 16561

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 60V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 8A (Ta), 35A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 8A, 10V,

Liostaí Liostaí

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM60N750CP ROG

cuid stoc: 16564

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 600V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 6A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 3A, 10V,

Liostaí Liostaí

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM4N60ECP ROG

cuid stoc: 16583

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 600V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 4A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 2A, 10V,

Liostaí Liostaí

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM045NA03CR RLG

cuid stoc: 16581

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 108A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 18A, 10V,

Liostaí Liostaí

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM220NB06LCR RLG

cuid stoc: 16537

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 60V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 8A (Ta), 35A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 8A, 10V,

Liostaí Liostaí