Menu
GaeilgeGaeilge
RFQ / Ordú
0RFQ / Ordú

Trasraitheoirí - FETnna, MOSFETanna - Aonai

SIE816DF-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIE816DF-T1-GE3

cuid stoc: 1050

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 60V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 60A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4 mOhm @ 19.8A, 10V,

Liostaí Liostaí
SI4778DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4778DY-T1-E3

cuid stoc: 131631

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 25V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 8A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7A, 10V,

Liostaí Liostaí
SUM70090E-GE3
Vishay Siliconix

SUM70090E-GE3

cuid stoc: 39022

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 100V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 50A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9 mOhm @ 20A, 10V,

Liostaí Liostaí
SUP60N02-4M5P-E3
Vishay Siliconix

SUP60N02-4M5P-E3

cuid stoc: 1148

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 20V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 60A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 20A, 10V,

Liostaí Liostaí
SI3410DV-T1-E3
Vishay Siliconix

SI3410DV-T1-E3

cuid stoc: 1042

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 8A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5 mOhm @ 5A, 10V,

Liostaí Liostaí
IRFR120PBF
Vishay Siliconix

IRFR120PBF

cuid stoc: 75564

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 100V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 7.7A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 4.6A, 10V,

Liostaí Liostaí
SI5858DU-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI5858DU-T1-GE3

cuid stoc: 1079

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 20V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 6A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 4.4A, 4.5V,

Liostaí Liostaí
SUD50P04-23-E3
Vishay Siliconix

SUD50P04-23-E3

cuid stoc: 1146

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 40V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 8.2A (Ta), 20A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 15A, 10V,

Liostaí Liostaí
SUD50N02-09P-E3
Vishay Siliconix

SUD50N02-09P-E3

cuid stoc: 971

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 20V, Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 20A, 10V,

Liostaí Liostaí
SI4320DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4320DY-T1-E3

cuid stoc: 1065

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 17A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 25A, 10V,

Liostaí Liostaí
SI2311DS-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI2311DS-T1-GE3

cuid stoc: 1004

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 8V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 3A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 3.5A, 4.5V,

Liostaí Liostaí
SI3454ADV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3454ADV-T1-GE3

cuid stoc: 998

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 3.4A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4.5A, 10V,

Liostaí Liostaí
SI4646DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4646DY-T1-E3

cuid stoc: 1014

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 12A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5 mOhm @ 10A, 10V,

Liostaí Liostaí
SI7448DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7448DP-T1-GE3

cuid stoc: 1117

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 20V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 13.4A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 22A, 4.5V,

Liostaí Liostaí
SIR876DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR876DP-T1-GE3

cuid stoc: 990

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 100V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 40A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8 mOhm @ 20A, 10V,

Liostaí Liostaí
SI7392DP-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7392DP-T1-E3

cuid stoc: 1086

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 9A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.75 mOhm @ 15A, 10V,

Liostaí Liostaí
SI9410BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI9410BDY-T1-GE3

cuid stoc: 1076

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 6.2A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 8.1A, 10V,

Liostaí Liostaí
SI5484DU-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI5484DU-T1-GE3

cuid stoc: 1098

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 20V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 12A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 7.6A, 4.5V,

Liostaí Liostaí
SI7446BDP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7446BDP-T1-GE3

cuid stoc: 1126

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 12A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 19A, 10V,

Liostaí Liostaí
SIE804DF-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIE804DF-T1-GE3

cuid stoc: 1119

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 150V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 37A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 7.6A, 10V,

Liostaí Liostaí
SUP90N04-3M3P-GE3
Vishay Siliconix

SUP90N04-3M3P-GE3

cuid stoc: 28917

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 40V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 90A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 22A, 10V,

Liostaí Liostaí
SIR406DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR406DP-T1-GE3

cuid stoc: 1061

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 25V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 40A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 15A, 10V,

Liostaí Liostaí
SUM90N08-7M6P-E3
Vishay Siliconix

SUM90N08-7M6P-E3

cuid stoc: 1103

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 75V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 90A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6 mOhm @ 30A, 10V,

Liostaí Liostaí
SI7156DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7156DP-T1-GE3

cuid stoc: 1063

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 40V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 50A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 20A, 10V,

Liostaí Liostaí
SI3447BDV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3447BDV-T1-GE3

cuid stoc: 1064

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 12V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 4.5A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 6A, 4.5V,

Liostaí Liostaí
SI2341DS-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI2341DS-T1-GE3

cuid stoc: 1087

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 2.5A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 2.8A, 10V,

Liostaí Liostaí
SUD50N03-06P-E3
Vishay Siliconix

SUD50N03-06P-E3

cuid stoc: 1099

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 84A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 20A, 10V,

Liostaí Liostaí
SI7392ADP-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7392ADP-T1-E3

cuid stoc: 1057

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 30A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 12.5A, 10V,

Liostaí Liostaí
SUP18N15-95-E3
Vishay Siliconix

SUP18N15-95-E3

cuid stoc: 1092

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 150V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 18A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 15A, 10V,

Liostaí Liostaí
SI7382DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7382DP-T1-GE3

cuid stoc: 1045

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 14A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 24A, 10V,

Liostaí Liostaí
SI1413DH-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1413DH-T1-GE3

cuid stoc: 1053

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 20V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 2.3A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115 mOhm @ 2.9A, 4.5V,

Liostaí Liostaí
SIS436DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIS436DN-T1-GE3

cuid stoc: 189955

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 25V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 16A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 10A, 10V,

Liostaí Liostaí
SI3805DV-T1-E3
Vishay Siliconix

SI3805DV-T1-E3

cuid stoc: 183769

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 20V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 3.3A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84 mOhm @ 3A, 10V,

Liostaí Liostaí
SI1488DH-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1488DH-T1-GE3

cuid stoc: 1024

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 20V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 6.1A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49 mOhm @ 4.6A, 4.5V,

Liostaí Liostaí
IRFIBE30GPBF
Vishay Siliconix

IRFIBE30GPBF

cuid stoc: 27281

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 800V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 2.1A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.3A, 10V,

Liostaí Liostaí
SI7170DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7170DP-T1-GE3

cuid stoc: 66663

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 40A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 15A, 10V,

Liostaí Liostaí