Trasraitheoirí - FETnna, MOSFETanna - Aonai | Táirgí Leathsheoltóra Scoite | 100

SI7784DP-T1-GE3

cuid stoc: 683

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 35A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 20A, 10V,

Liostaí Liostaí

Vishay Siliconix

SI7160DP-T1-GE3

cuid stoc: 629

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 20A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7 mOhm @ 15A, 10V,

Liostaí Liostaí

Vishay Siliconix

SI4660DY-T1-GE3

cuid stoc: 683

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 25V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 23.1A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 15A, 10V,

Liostaí Liostaí

Vishay Siliconix

IRFR420ATRPBF

cuid stoc: 98624

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 500V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 3.3A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.5A, 10V,

Liostaí Liostaí

Vishay Siliconix

IRL540PBF

cuid stoc: 37415

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 100V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 28A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77 mOhm @ 17A, 5V,

Liostaí Liostaí

Vishay Siliconix

SI4398DY-T1-GE3

cuid stoc: 640

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 20V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 19A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 25A, 10V,

Liostaí Liostaí

Vishay Siliconix

SIB413DK-T1-GE3

cuid stoc: 656

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 20V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 9A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 6.5A, 4.5V,

Liostaí Liostaí

Vishay Siliconix

SI1046R-T1-GE3

cuid stoc: 658

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 20V, Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 606mA, 4.5V,

Liostaí Liostaí

Vishay Siliconix

SI5475DDC-T1-GE3

cuid stoc: 193846

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 12V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 6A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 5.4A, 4.5V,

Liostaí Liostaí

Vishay Siliconix

SI7601DN-T1-GE3

cuid stoc: 664

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 20V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 16A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.2 mOhm @ 11A, 4.5V,

Liostaí Liostaí

Vishay Siliconix

SI5447DC-T1-GE3

cuid stoc: 679

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 20V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 3.5A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76 mOhm @ 3.5A, 4.5V,

Liostaí Liostaí

Vishay Siliconix

IRF9540PBF

cuid stoc: 38759

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 100V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 19A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 11A, 10V,

Liostaí Liostaí

Vishay Siliconix

SI7411DN-T1-GE3

cuid stoc: 620

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 20V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 7.5A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 11.4A, 4.5V,

Liostaí Liostaí

Vishay Siliconix

IRFR420TRPBF

cuid stoc: 180849

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 500V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 2.4A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.4A, 10V,

Liostaí Liostaí

Vishay Siliconix

SI1067X-T1-GE3

cuid stoc: 634

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 20V, Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 1.06A, 4.5V,

Liostaí Liostaí

Vishay Siliconix

IRFP460PBF

cuid stoc: 19003

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 500V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 20A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 12A, 10V,

Liostaí Liostaí

Vishay Siliconix

IRFU9220PBF

cuid stoc: 37016

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 200V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 3.6A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 2.2A, 10V,

Liostaí Liostaí

Vishay Siliconix

SI6433BDQ-T1-GE3

cuid stoc: 5687

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 12V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 4A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.8A, 4.5V,

Liostaí Liostaí

Vishay Siliconix

SI7748DP-T1-GE3

cuid stoc: 91365

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 50A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 15A, 10V,

Liostaí Liostaí

Vishay Siliconix

SI4866BDY-T1-GE3

cuid stoc: 147258

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 12V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 21.5A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3 mOhm @ 12A, 4.5V,

Liostaí Liostaí

Vishay Siliconix

SI6459BDQ-T1-GE3

cuid stoc: 691

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 60V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 2.2A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115 mOhm @ 2.7A, 10V,

Liostaí Liostaí

Vishay Siliconix

SI7758DP-T1-GE3

cuid stoc: 87628

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 60A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9 mOhm @ 20A, 10V,

Liostaí Liostaí

Vishay Siliconix

SI1065X-T1-GE3

cuid stoc: 660

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 12V, Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156 mOhm @ 1.18A, 4.5V,

Liostaí Liostaí

Vishay Siliconix

IRFR014TRPBF

cuid stoc: 196214

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 60V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 7.7A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 4.6A, 10V,

Liostaí Liostaí

Vishay Siliconix

SI4448DY-T1-E3

cuid stoc: 655

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 12V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 50A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 20A, 4.5V,

Liostaí Liostaí

Vishay Siliconix

SI7802DN-T1-GE3

cuid stoc: 637

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 250V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 1.24A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 435 mOhm @ 1.95A, 10V,

Liostaí Liostaí

Vishay Siliconix

SI4825DY-T1-GE3

cuid stoc: 711

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 8.1A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 11.5A, 10V,

Liostaí Liostaí

Vishay Siliconix

SI7485DP-T1-GE3

cuid stoc: 647

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 20V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 12.5A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3 mOhm @ 20A, 4.5V,

Liostaí Liostaí

Vishay Siliconix

IRF9510PBF

cuid stoc: 73271

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 100V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 4A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 2.4A, 10V,

Liostaí Liostaí

Vishay Siliconix

SI6435ADQ-T1-GE3

cuid stoc: 669

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 4.7A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 5.5A, 10V,

Liostaí Liostaí

Vishay Siliconix

SI2351DS-T1-GE3

cuid stoc: 672

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 20V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 2.8A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115 mOhm @ 2.4A, 4.5V,

Liostaí Liostaí

Vishay Siliconix

SIR496DP-T1-GE3

cuid stoc: 659

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 20V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 35A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 20A, 10V,

Liostaí Liostaí

Vishay Siliconix

IRFR110TRPBF

cuid stoc: 192453

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 100V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 4.3A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540 mOhm @ 2.6A, 10V,

Liostaí Liostaí

Vishay Siliconix

SI7620DN-T1-GE3

cuid stoc: 632

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 150V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 13A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126 mOhm @ 3.6A, 10V,

Liostaí Liostaí

Vishay Siliconix

IRLR024TRPBF

cuid stoc: 180882

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 60V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 14A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 8.4A, 5V,

Liostaí Liostaí

Vishay Siliconix

SI6463BDQ-T1-GE3

cuid stoc: 649

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 20V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 6.2A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 7.4A, 4.5V,

Liostaí Liostaí