Trasraitheoirí - FETnna, MOSFETanna - Aonai

SI5410DU-T1-GE3

SI5410DU-T1-GE3

cuid stoc: 139887

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 40V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 12A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 6.6A, 10V,

SI1046X-T1-GE3

SI1046X-T1-GE3

cuid stoc: 594

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 20V, Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 606mA, 4.5V,

SI4170DY-T1-GE3

SI4170DY-T1-GE3

cuid stoc: 632

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 30A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 15A, 10V,

SIB800EDK-T1-GE3

SIB800EDK-T1-GE3

cuid stoc: 598

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 20V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 1.5A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225 mOhm @ 1.6A, 4.5V,

SQD50P04-13L_GE3

SQD50P04-13L_GE3

cuid stoc: 51938

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 40V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 50A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 17A, 10V,

IRLR110TRPBF

IRLR110TRPBF

cuid stoc: 168656

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 100V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 4.3A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540 mOhm @ 2.6A, 5V,

SI1071X-T1-GE3

SI1071X-T1-GE3

cuid stoc: 707

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 167 mOhm @ 960mA, 10V,

SI7196DP-T1-GE3

SI7196DP-T1-GE3

cuid stoc: 600

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 16A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 12A, 10V,

IRL620PBF

IRL620PBF

cuid stoc: 38368

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 200V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 5.2A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 3.1A, 5V,

SI5463EDC-T1-E3

SI5463EDC-T1-E3

cuid stoc: 421

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 20V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 3.8A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62 mOhm @ 4A, 4.5V,

IRLD110PBF

IRLD110PBF

cuid stoc: 75536

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 100V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 1A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540 mOhm @ 600mA, 5V,

SI1065X-T1-E3

SI1065X-T1-E3

cuid stoc: 402

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 12V, Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156 mOhm @ 1.18A, 4.5V,

SI2302ADS-T1-E3

SI2302ADS-T1-E3

cuid stoc: 415

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 20V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 2.1A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.6A, 4.5V,

SI7382DP-T1-E3

SI7382DP-T1-E3

cuid stoc: 418

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 14A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 24A, 10V,

SI7483ADP-T1-E3

SI7483ADP-T1-E3

cuid stoc: 6063

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 14A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 24A, 10V,

SI1488DH-T1-E3

SI1488DH-T1-E3

cuid stoc: 436

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 20V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 6.1A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49 mOhm @ 4.6A, 4.5V,

SI1012X-T1-E3

SI1012X-T1-E3

cuid stoc: 412

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 20V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 500mA (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 600mA, 4.5V,

SI3455ADV-T1-E3

SI3455ADV-T1-E3

cuid stoc: 456

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 2.7A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 3.5A, 10V,

SI1058X-T1-E3

SI1058X-T1-E3

cuid stoc: 416

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 20V, Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91 mOhm @ 1.3A, 4.5V,

SUM110N06-3M9H-E3

SUM110N06-3M9H-E3

cuid stoc: 22212

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 60V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 110A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 30A, 10V,

SI1413EDH-T1-E3

SI1413EDH-T1-E3

cuid stoc: 6088

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 20V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 2.3A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115 mOhm @ 2.9A, 4.5V,

SI3447BDV-T1-E3

SI3447BDV-T1-E3

cuid stoc: 447

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 12V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 4.5A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 6A, 4.5V,

SI8424DB-T1-E1

SI8424DB-T1-E1

cuid stoc: 491

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 8V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 12.2A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 1A, 4.5V,

SI4831DY-T1-E3

SI4831DY-T1-E3

cuid stoc: 411

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5A, 10V,

SI3495DV-T1-E3

SI3495DV-T1-E3

cuid stoc: 440

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 20V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 5.3A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7A, 4.5V,

SI1433DH-T1-E3

SI1433DH-T1-E3

cuid stoc: 381

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 1.9A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 2.2A, 10V,

SI5853DC-T1-E3

SI5853DC-T1-E3

cuid stoc: 459

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 20V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 2.7A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 2.7A, 4.5V,

SI1305EDL-T1-E3

SI1305EDL-T1-E3

cuid stoc: 470

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 8V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 860mA (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 1A, 4.5V,

SI5485DU-T1-E3

SI5485DU-T1-E3

cuid stoc: 483

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 20V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 12A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 5.9A, 4.5V,

TN0200K-T1-E3

TN0200K-T1-E3

cuid stoc: 471

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 20V, Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 600mA, 4.5V,

SI8405DB-T1-E1

SI8405DB-T1-E1

cuid stoc: 486

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 12V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 3.6A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 1A, 4.5V,

SI3441BDV-T1-E3

SI3441BDV-T1-E3

cuid stoc: 462

Cineál FET: P-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 20V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 2.45A (Ta), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3.3A, 4.5V,

SIE800DF-T1-E3

SIE800DF-T1-E3

cuid stoc: 487

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 50A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2 mOhm @ 11A, 10V,

IRFBE30PBF

IRFBE30PBF

cuid stoc: 41858

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 800V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 4.1A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 2.5A, 10V,

SI5480DU-T1-E3

SI5480DU-T1-E3

cuid stoc: 443

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 12A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 7.2A, 10V,

SIE830DF-T1-E3

SIE830DF-T1-E3

cuid stoc: 450

Cineál FET: N-Channel, Teicneolaíocht: MOSFET (Metal Oxide), Draenáil chuig Voltas Foinse (Vdss): 30V, Reatha - Draenáil Leanúnach (Id) @ 25 ° C.: 50A (Tc), Voltas Tiomáint (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 16A, 10V,